Press "Enter" to skip to content

【芯观点】高规格的痛苦面具,GaN-On-SiC的未来

本站内容均来自兴趣收集,如不慎侵害的您的相关权益,请留言告知,我们将尽快删除.谢谢.

芯观点──聚焦国内外产业大事件,汇聚中外名人专家观点,剖析行业发展动态,带你读懂未来趋势!

 

 

集微网消息,要说GaN有多火,如果你是手机制造商,不推出一款GaN快充可能会被嘲笑“落伍”。而在射频领域,GaN更被认为是高功率和高性能应用场景的未来。在SiC衬底上生长出的GaN呢?优秀基因的强强结合能否成就未来的王者?

 

“高规格”市场的枷锁

 

GaN-On-SiC(碳化硅基氮化镓)结合了SiC优异的导热性和GaN高功率高频的特点,目前已广泛应用于5G基站、国防领域射频前端的功率放大器(PA)。

 

在RF GaN行业,碳化硅基氮化镓也确实是一位当之无愧的老前辈。 除了在军用雷达方面的深度渗透外,由于能够更好满足5G技术的高功率、高频率及宽禁带等要求,也一直是华为、诺基亚、三星等电信OEM厂商5G基站基础设施的选择。

 

 

集微访谈视频截图

 

业内人士指出,基站仍然是RF GaN收入的主要来源。“目前5G基站还是以Sub-6GHz通信技术为主,但未来会往毫米波方向布局,会向更高频的技术上发展” ,市场研究机构Yole的分析师邱柏顺在接受集微访谈采访时说。

 

随着全球加速5G部署,碳化硅基氮化镓有望在不久的将来取代硅基LDMOS 在射频市场的主导地位。据Yole预计,到2026年,GaN射频市场将达到24亿美元,2020-2026年复合年增长率为18%。其中,碳化硅基氮化镓射频市场预计达到22亿美元以上,预测期内复合年增长率为17%。

 

 

图源:Yole De veloppement

 

和基站市场的火热不同,碳化硅基氮化镓在移动终端领域却格外冷清,尚未开始规模应用。可以这样形容,碳化硅基氮化镓——这位“高规格”市场的老前辈,在面向大众的市场上,还只是一个正待冉冉升起的“新星”。

 

作为限制GaN 同质外延的最主要因素,成本也是碳化硅基氮化镓要提高全民 “喜爱度”必须解决的首要问题。

 

 

图源:平安证券

 

近两年,业界纷纷开始扩展碳化硅基氮化镓的衬底尺寸,以寻求更优的成本效益,包括美国Cree 和Qorvo都在向6英寸升级。去年,NXP宣布在美国亚利桑那州建造的首座6英寸GaN RF晶圆厂正式运营。

 

邱柏顺认为,NXP是一个非常关键的例子,代表了碳化硅基氮化镓正受到主流厂商的采用。未来需求的可预见性增长正加速生产平台从4英寸向6英寸方向演进。预计到2024年,整体市场上的6英寸碳化硅基氮化镓的数量将超过4英寸,6英寸将渐渐成为主流。

 

 

NXP 亚利桑那州6英寸GaN晶圆厂开幕式

 

不过,鉴于碳化硅衬底制造困难,关键技术仍掌握在少数美国厂商如Cree、II-VI等手中,因此在邱柏顺看来,“工艺技术的升级可能仍会先以美国公司为主”,全球范围的推广可能存在时间上的差异。

 

但无论如何,GaN-On-SiC走出“高规格”市场需要的不仅是工艺端的进步,更需要整个供应链协同发展,产业上下游全面建设。

 

来自“大众情人”硅的威胁

 

这一天多久才能到来?

 

在那之前,硅基氮化镓能否先于碳化硅基氮化镓在移动终端领域大放异彩?相比于SiC,Si基衬底价格更加便宜,且易于垂直集成,尺寸扩展也相对容易。不过就目前来说,硅基氮化镓PA在5G手机等消费电子领域还处于探索阶段。

 

Yole在之前的一份报告中指出,截至2021年第二季度硅基氮化镓的市场容量很小,但硅基氮化镓PA因其大带宽和小尺寸已吸引智能手机OEM,预计可能很快会被支持Sub-6GHz的5G手机型号采用。

 

尽管如此,在邱柏顺看来,硅基氮化镓PA仍然需要一个“杀手级应用”打开射频市场。这一过程需要第一个吃螃蟹的公司。谁会最终站出来,并将硅基氮化镓PA的供应链梳理完备?

 

截至目前,包括美光、意法半导体在内的公司都在推动硅基氮化镓研发计划。上半年,雷神和格芯也宣布将合作研发新型硅基氮化镓半导体。国内方面,6月5日,英诺赛科苏州8英寸硅基氮化镓研发生产基地已经正式进入量产阶段。

 

邱柏顺对集微网表示,随着这些重点公司的投入,如果硅基氮化镓迎来产品应用的机会,一些公司也愿意采用,这可能会成为硅基氮化镓打入5G手机PA的契机。

 

 

图源:Yole De veloppement

 

但在SiC基GaN领域研究超过十年的SweGaN可不这幺认为。

 

瑞典半导体材料公司SweGaN的首席技术官兼联合创始人陈志泰博士在接受eeNews采访时表示,硅基GaN 越来越受到IC设计者的青睐,但当前的技术仍然存在很多问题,最大的问题在于可靠性。

 

据了解,Si与GaN在晶格参数和热膨胀系数上分别有17%与46%的极大差异,以致硅基上生长出的GaN单晶往往会出现龟裂等缺陷,良品率较低。在相同条件下,SiC 的器件的可靠性和使用寿命均胜过Si。

 

据陈志泰称,在硅衬底上,GaN必须生长 5μm 厚度才能达到良好的质量,但GaN-On-SiC只需长到 2μm厚 。而随着 SiC 衬底尺寸不断扩大,将可以生长出缺陷更少、质量更好的GaN外延片。

 

此外,SiC具有高电阻特性,这对毫米波传输十分有益,在设计带有高频MMIC时是必需的。针对这一点,邱柏顺也指出,一些公司未来可以投入新的技术,特别是通过从前段工艺到后段工艺的整体配合,把材料的潜能开发出来,这会是整个供应链的新的商机。

 

Be First to Comment

发表评论

您的电子邮箱地址不会被公开。 必填项已用*标注